Tantaal doelwit

Tantaaldoelen bezitten kenmerken zoals een hoge zuiverheid, een dichte structuur en een goede sputterstabiliteit, en vertonen stabiele prestaties onder hoogvacuüm- en plasma-omgevingen. De dunne films gevormd uit tantaaldoelen vertonen een sterke hechting, goede uniformiteit en hoge chemische stabiliteit, waardoor ze op grote schaal worden gebruikt in dunne filmafzettingsvelden zoals halfgeleiders, geïntegreerde schakelingen, weergavepanelen en optische coatings.

product Introductie

Ons tantaaldoel

Dimensie	Diameter 50-400 mm X dikte 3-28 mm
Cijfer	R05200 R05400 R05252 (Ta-2,5W) R05255 (Ta-10W)
Zuiverheid	Groter dan of gelijk aan 99,95% (maximaal 99,99%)
Herkristalliseren	Minimaal 95%
Korrelgrootte	Minimaal 40um
Oppervlakteruwheid	Maximale Ra0,4
Vlakheid	0,1 mm of maximaal 0,10%
Tolerantie	Diameter +/-0,254 mm

Productieproces – vacuümsmelten met elektronenbundels

We gebruiken Electron Beam Vacuum Melting (EB) als het kernsmeltproces voor tantaalstaven.

Procesvoordelen:

● Ultra-hoogvacuümomgeving minimaliseert gasverontreiniging

● Superieure verwijdering van zuurstof, stikstof, waterstof en metaalverontreinigingen

● Zeer uniforme microstructuur en chemische samenstelling

● Verbeterde corrosieweerstand en levensduur

● Uitstekende consistentie tussen batches

Dit proces is vooral van cruciaal belang voor toepassingen die een hoge zuiverheid, stabiliteit op lange- termijn en extreme corrosieweerstand vereisen.